IC测试
DRAM DDR5 | DDR4 | DDR3
VPT/亿豪结合多年DRAM IC测试经验 发出独家DRAM IC 自动化测试机台,并针对IC的特性,制定完善且高效率的测试流程,每颗IC经过自动化测试机台严格的测试流程,确保其兼容性、可靠度与完整性,满足各种类型不同测试需求。
VPT/亿豪使用DRAM IC自动化测试机台进行测试,制定出完善高效率的测试流程规划,每颗IC经过严格的测试流程,确保其测试过程的兼容性、可靠度与完整性,满足客户各种类型不同测试需求。
VPT/亿豪 提供许多符合 JEDEC 规范标准的组件测试项目。
DDR5是2021全新世代的内存,不仅运作频率大幅提升,更采用高带宽传输设计,增进整体效能。新世代的DDR5基础频率架构频率由 4800MT/s起跳,相较最高频率只有 3200MT/s的 DDR4,带宽大幅增加传输效能,另外DDR5工作电压仅有 1.1V,比起1.2V工作电压下的DDR4可提升更多节能省电表现并加入电源管理架构(PMIC)。DDR5两大特色具备更高效能、更低功耗及更强大数据完整性的全新规格。VPT/亿豪针对DDR5 IC特性,制定完善且高效率的测试流程,每颗IC经过自动化测试机台严格的测试流程,确保其高带宽传输、兼容性、可靠度与完整性,满足各种不同测试需求。
DDR4是一种高带宽的计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品,是自1970年DRAM开始使用以来,现时最新的内存规格,旨在全面取代旧有的内存规格。
DDR3为了更省电、传输效率更快,使用SSTL 15的I/O接口,运作I/O电压是1.5V,采用CSP、FBGA封装方式包装,除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外,另外新增更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。
LPDDR4 | LPDDR3
LPDDR4 能够以每个引脚3,200 Mbit / s传输数据,因此性能比最快的LPDDR3高出50%在1.1伏特时消耗的能量减少约40%。
LPDDR3提供更高的数据速率,更高的带宽和功率效率,以及更高的存储密度。LPDDR3实现了1600 MT / s的数据速率,并利用了关键的新技术:写入均衡和命令/地址训练,[7]可选的片内终结(ODT)和低I / O电容。LPDDR3支持封装上封装(PoP)和分立封装类型。
Emcp (eMMC + Multi Chip Package),是eMMC结合MCP封装,与传统MCP相比,eMCP内建NAND Flash控制芯片,可以更有效的管理大容量的闪存,并减少主芯片运算的负担。